碳化硅mos管的最高频率_碳化硅mos管的最高频率为多少

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本文目录一览：

• 1、为什么一般的开关电源的频率要控制在100KHZ以下
• 2、IC的开关频率是520K,开关管{MOS管}该如何选择??
• 3、PWM控制MOS管一般用多高频率
• 4、为什么MOS管开关频率越高电流反越小啊
• 5、mos管开关频率一般多大

为什么一般的开关电源的频率要控制在100KHZ以下

1、这些组件占据了电源体积的大部分，同时滤波器的尺寸同工作频率成反比关系。另一方面，每一次开关转换都会伴有能量损耗；工作频率越高，开关损耗就越高，同时效率也就越低；其次，较高的频率运行通常意味着可以使用较小的组件值。

2、频率低，容易制作。但保持警惕截面要大，管子最大电流更大。频率高，可以选用更小的铁芯。但频率高到一定的程度，将造成开关损耗的增加。综合考虑，20K~150K是一个比较合适的范围。

3、你好！你的问题主要看电源作什么用。从电源的干扰性、转换效率、电路设计、变压器设计等综合考虑，开关电源的开关频率一般设计在40--100KHz范围比较合适。

IC的开关频率是520K,开关管{MOS管}该如何选择??

FR107的反向恢复时间是500nS，耐压是1000V，VF是7V，应该选用没有反恢复时间的肖特基或超快恢复二极管（35nS以下）。同时像这么高频率的电源都是低压的，二极管耐压可选低，这样VF就低了，效率就上去了。

须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议***用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。

漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

当然是MOS管速度快了。可控硅导通容易，但是不能自行关断；IGBT常用于大功率设备，需要专门的驱动，所以速度也受影响。高速小功率建议用MOS管。

PWM控制MOS管一般用多高频率

1、如果你通过用MOS去分压来控制电压，当然会发热。建议做成开关电源电路吧，开关频率一般用300KHZ以上，以减小电感和电容需求值。

2、对于10KW 48V的直流电机，PWM控制的频率通常可以在几百赫兹到几千赫兹之间。具体频率需要根据电机的设计、控制器的性能和应用要求来确定。

3、***设程序每50us进入一次中断，那么就是说每50us进行一次PWM调制。这样PWM频率就是20KHz。如果程序写的很多，那么就可以设定更长的中断周期，而相应的PWM调制频率就会降低。一般的PWM调节频率保持在10K-50K都是可以接受的。

为什么MOS管开关频率越高电流反越小啊

1、开关频率越高，开关管的开关速度就越快，因此开关损失也会更小。此外，高开关频率还可以减小开关器件的尺寸和重量，从而提高电源的功率密度和效率。

2、变频器频率越低，电流越大；频率越大，电流越小。这样理解不对。电流的大小和所带的负载有关系，电压乘以电流等于功率。频率和电流没有直接的关系。

3、因为变压器里面的铁棒可以适应1000KHZ以下的频率。变压器由铁芯（或磁芯）和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫次级线圈。它可以变换交流电压、电流和阻抗。

mos管开关频率一般多大

-100纳秒。MO***ET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10-100纳秒之间，工作频率可达100千赫。

MOS管就是场效应管，20A的电流别无选择，只能场效应管。场效应管的开关频率一般可达300MHz，也就是微秒级别的，开关电路一般用到毫秒。提高关断速度，只要提高栅极的速度即可。

MOS管的应用，达到100KHz也不怕，就怕你用单管IGBT，普通的只是25KHz左右，目前市场上仅英飞凌和富士量产了高频的系列，可以达到40-50KHz。

IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（3205 60V；540 100V）如果耐压满足的话就选3205。 频率最大可到100K，一般选50K较合适。

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