xfythy 发布于2024-01-02 06:10:07 碳化硅管 17 次
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碳化硅功率模块与同等级的硅基IGBT功率模块相比,碳化硅导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
碳化硅(SiC)半导体具有比Si-IGBT更好的开关性能,因此SiC在高开关频率下产生的开关损耗较小。与Si-IGBT相比,在高开关频率下SiC可获得更大的负载电流。
而在较高电流,或者更关心系统的稳定性和故障率的应用中,SiC的优越性可能更加突出。SiC mosFET在高压应用中有着无可比拟的优势,可以在高压电路中直接替代硅材料,并且在输出特性、开关特性和损耗方面都优于硅。
紧凑尺寸:碳化硅允许制造更小型的IGBT,这在一些空间受限的应用中非常有用。 环保:由于碳化硅IGBT可以提供更高的效率,它们在降低能源消耗方面非常有帮助,有助于减少碳排放。
首先是成本问题,800V高压需要用碳化硅器件SiC MO***ET替代传统硅基半导体器件Si-IGBT,虽然SiC-MO***ET与Si-IGBT相比耐压程度更高,且开关损耗低、效率高,但相对应的,其价格也高。 同时800V的电池需要更小的电芯,电池成本会更高。
高压电池的续航里程是混合动力和电动汽车普及的最大掣肘之一。为了说服最终客户(即车主)相信电动汽车,许多汽车制造商目前依赖具有快速充电时间的充电系统。这是为了简化电动汽车的使用。
MO***ET(金属氧化物半导体场效应管):MO***ET是一种常用的功率开关器件,具有开关速度快、损耗小、可靠性高等优点。在电动汽车变流器中,MO***ET常用于直流母线的开关控制。
这是可想而知的,此时匀出一部分成本用于硅基半导体升级碳化硅半导体自然是可行的。
SiC MO***ET在高压应用中有着无可比拟的优势,可以在高压电路中直接替代硅材料,并且在输出特性、开关特性和损耗方面都优于硅。
相信伴随着更多的企业密集布局,车用SiC的价格必然会下降,从技术和理论上来看,这的确是一个正确的方向,碳化硅赛道上的玩家越多,内卷越严重,对于消费者来说,更是幸事。
1、在兼顾成本和效率以及平衡市场需求的基础上,可以预见,碳化硅SiC在新能源汽车中的应用将会被更多的汽车品牌所***纳。SiC功率器件将在汽车的制造过程中越来越普及。
2、碳化硅功率器件被广泛应用于新能源汽车中的主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等,以及光伏、风电等领域。受益于新能源汽车推广,碳化硅功率器件市场有望迎来快速增长。
3、碳化硅器件应用于主驱,还能够提升电动汽车的续航能力。180kW永磁同步电机碳化硅模块的应用,使电控系统的综合损耗降低了4%~6%,很好的改善了ET7在城市工况下的功耗表现。
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