冠县无压烧结碳化硅板_无压烧结碳化硅的硬度

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本文目录一览：

• 1、无压烧结碳化硅和反应烧结碳化硅的区别
• 2、无压烧结碳化硅化学成分什么
• 3、无压烧结碳化硅会不会氧化成二氧化硅
• 4、无压烧结碳化硅常见问题
• 5、无压烧结碳化硅粉的弹性模量是多少
• 6、无压碳化硅与碳化硅的区别

无压烧结碳化硅和反应烧结碳化硅的区别

1、化学成分一样，都是碳元素与硅元素一比一的物质的量组成，化学式都是SiC，无压烧结碳化硅是碳化硅的一种类型。之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。

2、无压烧结：不同的产品选择的结合剂不同，在烧结过程中没有压力，包括气相压力。

3、高硬度以及耐高温性能等，按其烧结方式可分为：反应烧结碳化硅（rbsic）、无压固相烧结碳化娃（ssic）、液相烧结碳化娃（lsic）、热压烧结碳化硅（hpsic）和再结品碳化硅（rsic）等。

无压烧结碳化硅化学成分什么

1、碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。

2、化学成分一样，都是碳元素与硅元素一比一的物质的量组成，化学式都是SiC，无压烧结碳化硅是碳化硅的一种类型。之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。

3、化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。硬度挨近金刚石，热安稳性好，对氢氟酸水溶液和浓硫酸安稳，对浓氢氟酸与硝酸的混合酸或磷酸则不安稳。

无压烧结碳化硅会不会氧化成二氧化硅

酚醛树脂作为碳源，在烧结过程中，使碳化硅表面的二氧化硅形成碳化硅，从而增加碳化硅的表面能，促进烧结，烧结过后产品内部没有残留的硅，提高产品的耐腐蚀性。

总之，SiC陶瓷的性能因烧结方法不同而不同。一般说来，无压烧结SiC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SiC陶瓷，但次于热压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷。

无压烧结碳化硅SSiC和热压烧结SiC 无压烧结SiC它是***用超细SiC微粉（粒度约在0.1～0.2微米）加适当的添加剂、粘结剂压制成型，然后再2000～2200摄氏度的温度下烧结而成的。适合用于数量少、规格品种多的机械密封环。

无压烧结碳化硅常见问题

增加反应温度：在反应烧结碳化硅的过程中，增加反应温度可以促进SiC的生成，从而减少碳化石墨的生成。但是，过高的反应温度也会导致物料的烧结不良，影响制品的质量。

粒度分布不均等。粒度分布不均匀，大颗粒物质会聚集在产品一侧，形成分层。在高温下材料热膨胀系数存在差异，密度和成分不均匀也可能导致烧结分层。烧结压力和温度不一致，也会导致碳化硅制品分层。

碳化硅陶瓷烧结密度低原因如下：碳化硅烧结助剂含量少。烧结温度低和烧结时间短。烧结碳化硅成分不均匀强度降低。

干燥过快会导致微裂纹，润湿非常细小，但是在脱蜡后裂纹会扩展。制壳温度湿度控制不均匀。产品结构设计的原因，根据产品的设计要想办法在制壳是规避或者调整，比如深孔等。

无压烧结碳化硅粉的弹性模量是多少

1、我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为20～25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。 碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基该品种，都属α-SiC。

2、碳化硅的化学性质 …… 碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。

3、高的弯曲强度和弹性模量：出色的机械强度 压力波动和温度循环不会损害机械性能，可靠性高。在高纯度应用中无污染。极高的化学纯度：SiC含量99% 没有游离硅 不包含粘合剂或填料，并且对多种试剂都呈化学惰性。

4、成本决定了，无压烧结很难取代反应烧结，不过无压烧结出的产品，表面更光滑、密度更高、强度也要比反应烧结的高，根据无压的特性，像密封件类，对表面要求严格的，无压烧结的产品已经取代了反应烧结产品。

5、碳化硅粉的特点 呈绿色，晶体结构，硬度高，切削能力较强，化学性质稳定，导热性能好。

无压碳化硅与碳化硅的区别

1、无压碳化硅与碳化硅的区别如下。无压烧结：不同的产品选择的结合剂不同，在烧结过程中没有压力，包括气相压力。

2、烧制过程不同。反应烧结是在较低的温度下，使游离硅渗透到碳化硅中。而无压烧结是在2100度下，自然收缩而成的碳化硅制品。烧结的产品技术参数不同。反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。

3、重结晶：是通过高温约2400度左右烧成使坯体中的碳化硅气化后重新结晶生成碳化硅结合坯体中的碳化硅颗粒。无压烧结：不同的产品选择的结合剂不同，在烧结过程中没有压力，包括气相压力。

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