金湖无压烧结碳化硅板_金湖无压烧结碳化硅板厂家电话

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本文目录一览：

• 1、无压碳化硅与碳化硅的区别
• 2、无压烧结碳化硅会不会氧化成二氧化硅
• 3、无压烧结碳化硅粉的弹性模量是多少

无压碳化硅与碳化硅的区别

无压碳化硅与碳化硅的区别如下。无压烧结：不同的产品选择的结合剂不同，在烧结过程中没有压力，包括气相压力。

碳化硅从颜色上分为黑碳化硅和绿碳化硅，在晶相上主要有α相与β相，常压烧结使用的碳化硅想在主要是以α相碳化硅粉体为主，因为两种相体的形成是与冶炼温度有关系，所以并没有完全的分开，两种都存在。

重结晶：是通过高温约2400度左右烧成使坯体中的碳化硅气化后重新结晶生成碳化硅结合坯体中的碳化硅颗粒。无压烧结：不同的产品选择的结合剂不同，在烧结过程中没有压力，包括气相压力。

烧制过程不同。反应烧结是在较低的温度下，使游离硅渗透到碳化硅中。而无压烧结是在2100度下，自然收缩而成的碳化硅制品。烧结的产品技术参数不同。反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。

之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。无压烧结碳化硅是一种新技术产品，相比之前的反应烧结碳化硅而言，由于形成过程不同，无压烧结碳化硅的晶型结构更佳完善，结构完美性带来了抗腐蚀、耐磨等方面的改善。

对表面要求严格的，无压烧结的产品已经取代了反应烧结产品。化学成分一样，都是碳元素与硅元素一比一的物质的量组成，化学式都是SiC，无压烧结碳化硅是碳化硅的一种类型。之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。

无压烧结碳化硅会不会氧化成二氧化硅

酚醛树脂作为碳源，在烧结过程中，使碳化硅表面的二氧化硅形成碳化硅，从而增加碳化硅的表面能，促进烧结，烧结过后产品内部没有残留的硅，提高产品的耐腐蚀性。

关于无压烧结机理，目前尚无定论。以α－SiC为原料，同时添加B和C，也同样可实现SiC的致密烧结。研究表明：单独使用B和C作添加剂，无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时，才能实现SiC陶瓷的高密度化。

SiC与水蒸气在1300－1400℃作用，但要到1775－1800℃才强烈的作用：SiC+2H2O→SiO2+CH4 SiC在氧中，在1000℃以下不被氧化，在1350℃时显著地氧化。在1350－1500℃之间形成SiO2，而SiO2在1700℃左右熔化。

碳化硅和氧气：碳化硅在高温下会与氧气发生反应，形成二氧化硅（SiO2）。这个反应类似于燃烧，但需要高温，通常在1000摄氏度以上才会明显发生。这是碳化硅陶瓷在高温环境中稳定的原因之一。

而且高温力学性能（强度、抗蠕变性等）是已知陶瓷材料中最佳的。热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的材料，其高温强度可一直维持到1600℃，是陶瓷材料中高温强度最好的材料。碳化硅陶瓷表面氧化问度700度以上才能氧化。

微波炉里放碳化硅可能会发生爆炸，非常危险。碳化硅的化学式为SIC，其主要化学成为为碳和硅。

无压烧结碳化硅粉的弹性模量是多少

通过热等静压烧结，在1950℃即可使其致密化。如选用比表面积为24m2／g的SiC超细粉，***用热等静压烧结工艺，在1850℃便可获得高致密度的无添加剂SiC陶瓷。

碳化硅从颜色上分为黑碳化硅和绿碳化硅，在晶相上主要有α相与β相，常压烧结使用的碳化硅想在主要是以α相碳化硅粉体为主，因为两种相体的形成是与冶炼温度有关系，所以并没有完全的分开，两种都存在。

碳化硅主要有四大应用领域，即： 功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。目前碳化硅粗料已能大量供应， 不能算高新技术产品，而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。

在无压烧结中，基于SiC的粉末混合物的稠化现象不只取决于烧结***物的种类和分量，还取决于SiC粉末的晶体结构。

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