低密度碳化硅陶瓷工艺_碳化硅精密陶瓷

本篇文章给大家谈谈低密度碳化硅陶瓷工艺，以及碳化硅精密陶瓷对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、碳化硅陶瓷烧结密度低怎么回事
• 2、碳化硅陶瓷的制备原理是啥??
• 3、碳化硅陶瓷的性能特点,碳化硅陶瓷的好处有哪些
• 4、机械密封用SiC生产过程

碳化硅陶瓷烧结密度低怎么回事

1、烧结致密度不足：无压烧结碳化硅的致密度对其力学性能和化学稳定性具有重要影响，烧结过程中温度、时间、压力等参数不当，会导致致密度不足。

2、表面粗糙的颗粒，比表面积或表面能相对大，所以其烧结驱动力大，易烧结，烧结密度大，孔洞小而少。表面光滑的粒状颗粒，比表面积或表面能比较小，因此其烧结驱动力较小，不易烧结，陶瓷的烧结密度比较低，空洞大而多。

3、高热导率。碳化硅的热导率达到了120-200 W/mK，是传统陶瓷材料的2-3倍，因此会产生较低的热应力和热震荡。 高耐热性。碳化硅的熔点高达2700°C，可以在高温环境下使用。 高机械强度。

4、重新购买。地砖的密度低，就说明他烧结度不好，是次品。我用了这种密度低的瓷砖的话，会容易渗水地板甚至会破裂。购买瓷砖的时候就要辩认好瓷砖的密度，这种敲打的声音就可以分辨出来。

碳化硅陶瓷的制备原理是啥??

只有同时添加B和C时，才能实现SiC陶瓷的高密度化。为了SiC的致密烧结，SiC粉料的比表面积应在10m2/g以上，且氧含量尽可能低。我们是经过热压烧结才得出来的产品。所以比较的耐使。

在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β－SiC，并与α－SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8％的游离Si。

并认为其机理是液相烧结。此外，还有研究者分别以B4C、B或B与C，Al2O3和C、Al2O3和Y2OBe、B4C与C作添加剂，***用热压烧结，也都获得了致密SiC陶瓷。

造价低陶瓷管重量轻，焊接性能好，施工安装方便，所以综合各方面安装及运行会减少不少成本费用。

制备技术： 气相沉积（CVD）法：气相沉积法是制备碳化硅的一种常见技术，通过高温下使气相中的材料在衬底上以单层或者多层的方式沉积成薄膜。

碳化硅陶瓷涂层是***用KN17高分子陶瓷聚合物在金属基材表面制作碳化硅耐磨层，具有高硬度、耐磨损、抗高温等特性，是北京耐默公司为解决高温磨损开发的一种碳化硅陶瓷涂层产品。

碳化硅陶瓷的性能特点,碳化硅陶瓷的好处有哪些

碳化硅陶瓷特点耐磨性能优异，连续使用10年以上时间根据研究，SiC陶瓷的耐磨性相当于锰钢的266倍和高铬铸铁的175倍，并且耐磨性极好。

碳化硅陶瓷产品的优点：耐高温，可以在1800℃的温度下正常使用，使用时不会被融化损伤，且稳定性能强。耐骤冷骤热，使用时不易炸裂，热稳定性强。高导热性、超高温稳定性等优点，而且结构性能非常稳定。

碳化硅陶瓷的性能特点耐磨性能优异，连续使用10年以上时间经研究所测定，碳化硅陶瓷的耐磨性相当于锰钢的266倍，高铬铸铁的175倍，耐磨性极好。

机械密封用SiC生产过程

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。碳化硅又称金钢砂或耐火砂。

碳化硅生产工艺流程简述如下：⑴、原料破碎 ***用锤式破碎机对石油焦进行破碎，破碎到工艺要求的粒径。⑵、配料与混料 配料与混料是按照规定配方进行称量和混匀的过程。

根据化学方程式 SiO2 + 2CO → SiC + 2CO2，可以得知在生产 1 mol SiC 的情况下，需要消耗 2 mol CO。根据化学计量学的原理，摩尔比例关系为 1 mol SiC ： 2 mol CO。

第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝SiНСl，SiCl，而气态Н，НСl返回到反应中或排放到大气中。

无压烧结SiC它是***用超细SiC微粉（粒度约在0.1～0.2微米）加适当的添加剂、粘结剂压制成型，然后再2000～2200摄氏度的温度下烧结而成的。适合用于数量少、规格品种多的机械密封环。

使得其在加热和冷却过程中受到的热应力很小；β-Sic属于低温晶型，超过1800℃时可发生晶型转换；在比重方面，β-SiC比大多数合金小一半，为钢的40%，与铝大致相同。

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