碳化硅功率管导通电阻_碳化硅管做功放

今天给各位分享碳化硅功率管导通电阻的知识，其中也会对碳化硅管做功放进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！

本文目录一览：

• 1、解释电力电子器件si产品和sic的区别
• 2、碳化硅的电阻多少
• 3、三极管正向导通电阻大概是多少?

解释电力电子器件si产品和sic的区别

这一点是无比强大的，目前肖特基二极管只能到200V，高压肖特基只有碳化硅，没有反向电流就意味着没有反向恢复尖峰，EMI降低、二极管关断损耗大减、稳定性提高、工作频率大增。

就上述三种材料来讲，Si的带宽为12eV属窄禁带半导体，GaAs和SiC为宽紧带半导体材料，材料的一些主要性能都由它们的带宽和能带结构决定，所以应从能带论入手。

SiC 是碳化硅（Silicon Carbide）的缩写。它指的是一种广泛用于半导体制造的材料，特别是用于制造功率半导体器件。

碳化硅的电阻多少

1、碳化硅可以导电，它作为一种常见的工业磨料，严格讲是一种半导体材料，其电学性质属杂质导电性，电阻率在10ˉ2～1012Ω·㎝之间。

2、常温下，金刚砂是一种半导体，导电性能在导体和绝缘体之间，电阻率在102~1012Ω．cm范围内，并随晶体中引入杂质的种类和数量的不同而变化。对碳化硅导电性能影响最大的杂质是铝、氮和硼。含铝较多的碳化硅导电性能显著增大。

3、碳化硅的导电性能。碳化硅是一种半导体，其导电性能随晶体中引入杂质的种类和数量的不同而变化，电阻率在10-2-1012Ω·cm之间。其中对碳化硅导电性影响较大的杂质是铝、氮和硼，含铝较多的碳化硅导电性显著加大。

4、铜的电阻率大约是 75x10^-8 Ω m；纯粹碳化硅的电阻率，大约是 0x10^7 Ω m；参杂的 p型或者n型的碳化硅，电阻率大约是：10^-1到10^4 Ω m 。

5、Ω·m，比铜或银更低，为世上电阻率最小的材料，因而其也是一种非常优秀的半导体材料，被寄希望于发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件或晶体管。

三极管正向导通电阻大概是多少?

三极管导通后，由于载流子的作用，失去了PN结典型导电特征。只取决于材料和工艺。CE之间在饱和导通的情况静态内阻是相当小的，大概是0.X-X欧的数量级。

三极管电阻的大小与三极管的类型、型号、不同电极间、正反向都有关。一般正向电阻都要小于几千欧姆，反向电阻都会大于几千欧姆。

以9013，9014为例，用MF-47型万用表R*1K档测量，Rbc=Rbe=5kΩ。Rcb，Rce，Reb.Re均为无穷大。换用*1，*10，*100档位测量，反向电阻都是无穷大，正向电阻值的读数大约是5，50，500。

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