碳化硅二极管高温_1200v碳化硅二极管

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本文目录一览：

• 1、碳化硅晶体的研发
• 2、碳化硅肖特基二极管的优缺点是什么
• 3、LED灯强光发热厉害吗?会不会烧掉?
• 4、发光二极管耐高温有多少
• 5、当温度升高时,二极管的反向饱和电流是增大还是减小?

碳化硅晶体的研发

日本的丰田、东芝、日立、富士等公司。（国内从事SiC晶体研制的研究所和高校主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、西安理工大学、中国电子科技集团第四十六所等）另外设备厂商也开始支持SiC器件的生产。

发展历程： 早期发展：碳化硅材料早在19世纪末便被发现，1907年，随着Ferdinand Braun发明了第一款无线电设备，铅硫矿晶体开始用于制作整流二极管，碳化硅也由此开始应用于电子器件。

碳化硅材料的发展历史比较长。1824年，瑞典化学家Berzelius在人工钻石生长过程中发现了碳化硅SiC。1885年，艾奇逊将焦炭和二氧化硅的混合物与一定量的氯化钠在炉中高温加热，制备了小尺寸的碳化硅晶体，但有很多缺陷。

碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。

关于碳化硅的几个***1905年 第一次在陨石中发现碳化硅。1907年 第一只碳化硅晶体发光二极管诞生。1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。

天科合达。大基金和哈勃投资分别位列第第五大股东。

碳化硅肖特基二极管的优缺点是什么

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。

二）肖特基二极管优缺点 1 肖特基二极管的优点：器件本身具有很高的开关频率，而且它的反向击穿电压比较的低。同时因为技术的不断改进，对新型材料的使用，使得肖特基二极管本身充满了生机以及很强的竞争力。

强的抗辐射能力，更适合在外太空环境中使用 在辐射环境下，碳化硅器件的抗中子辐射能力至少是硅的4倍，因此是制作耐高温、抗辐射的电力电子功率器件和大功率微波器件的优良材料。

好。低导通损耗：碳化硅二极管具有更低的导通损耗，因此在工作时产生的热量更少，能够更高效地转换电能。高抗辐射能力：碳化硅二极管具有较强的抗辐射能力，可在辐射环境下长时间工作。

LED灯强光发热厉害吗?会不会烧掉?

1、不会的，LED的内在特征决定了它是最理想的光源去代替传统的光源，它有着以下优点：LED基本上是一块很小的晶片被封装在环氧树脂里面，所以它非常的小，非常的轻。LED耗电非常低，一般来说LED的工作电压是2-6V。

2、尽管LED灯具发热较低，但仍然会有一定的温度产生，尤其是在长时间使用或高功率的情况下。通常情况下，LED灯具的温度不会对周围的物体产生烧伤或引发火灾的风险。

3、这种大灯发热量低，不会烤灯罩。Led是一种发光二极管，被许多汽车使用。led的发热量比较小，也很节能。led的体积比较小，让汽车厂商可以把大灯做成各种形状。制造最好的灯的汽车制造商是奥迪，它也被很多车迷称为灯厂。

4、普通led灯的话功率比较小，发热不是很明显，但是如果led灯功率比较大的话，长期开着的确会。烧坏电线。望***纳，谢谢。

5、led要做好良好的散热措施，或者其温度很高，如果灯座不是耐高温的，散热又不够，是会烤化灯座的。因为大灯的功率大，发热量很大。而且散热不好，也会严重影响led的寿命。

发光二极管耐高温有多少

V的电池不能点亮发光二极管。不能用万用表测试一般万用表的R×1档到R×1K档均不能测试发光二极管，而R×10K档由于使用9V或15V的电池，能把发光管点亮（由于此时电流很小，只能有一点微光）。

寿命长：灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点，在恰当的电流和电压下，使用寿命可达8-10万小时，比传统光源寿命长10倍以上。（具有一次更换，终身使用的特点）高亮度，耐高温。

LED是发光二极管，二极管里面有个东西叫PN结，具有单向导电性。 这个东西具体是啥咱们不讨论，有兴趣的朋友可以自己去找资料学习一下。我们只说结论，就是高温下，PN结的“性能”会变弱，在LED光源上表现出来就是光衰比较厉害。

当温度升高时,二极管的反向饱和电流是增大还是减小?

1、温度升高的时候，二极管的反向饱和电流是增大的。二极管反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

2、增加。由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

3、【答案】：2 解析：温度升高时，硅或锗二极管的正向压降和反向饱和电流都会增大，温度每增加10摄氏度，硅或锗二极管的反向饱和电流约增为原来的2倍。

4、饱和时，反向电压增大，饱和电流不会增大，电压大下去就击穿了 温度对二极管的工作状态影响很大。温度升高，有利于少数载流子的漂移运动。反向饱和电流会增大，但还是和电压没什么大关系。

5、二极管的正向电压将减小，反向饱和电流将增大。在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。

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