碳化硅二极管开关电源_碳化硅二极管开关电源原理

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• 1、解释电力电子器件si产品和sic的区别

解释电力电子器件si产品和sic的区别

实际上，SiC SBD已广泛用于IGBT电源模块和 功率因数校正（PFC）电路。SiC元件代表：肖特基二极管 SiC的优势与挑战 碳化硅基电力电子元件之所以备受关注，一个重要原因是在相同阻断电压条件下，其掺杂密度几乎比硅基设备高出百倍。

相同点：能改变半导体材料的电导率 不同点：改变方法与效果不同 掺杂在一般能浓度下对载流子的迁移率影响不大，主要是通过增加杂质载流子浓度改变电导率。

第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。

SiC器件不仅提高了5倍的工作频率和10倍的阻断电压、降低了大约80%的工作损耗，还把工作结温从175℃提升到了600℃，功率密度也得到了进一步提升。说人话，就是能让新能源车获得更长的续航和更快的充电速度。

编者注：SiC为碳化硅材料的简称，IGBT为绝缘栅双极晶体管的简称。

包含关系。IC：集成电路（integrated circuit）。

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