碳化硅单晶生长炉设备价格_碳化硅生长炉的技术参数

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本文目录一览：

• 1、单晶硅生长炉的单晶硅生长炉热场的设计与仿真

单晶硅生长炉的单晶硅生长炉热场的设计与仿真

其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种，具有自主知识产权。

目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。

单晶生长有很多种方法，常用的为CZ法，即用籽晶在熔融的硅液中逐渐提拉，硅液在籽晶上冷却的时候，按照籽晶的晶体方向排列、生长、长大，晶体生长出来的尺寸与提拉的速度，熔融硅液的温度分布等因素强相关。

热场不均匀最大的影响是影响晶体生长得方向，因为温场不均匀不能形成正常的温度梯度。

拉晶要拉晶，拉晶就是在拉晶炉里加热熔化多晶硅。将晶体向上提拉后，工人们首先将多晶硅放入应时坩埚中。（为了降低成本，工厂还会用一些洗过的电池片和碎硅片一起熔化。）关炉加热。

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