xfythy 发布于2024-01-04 15:45:22 碳化硅管 15 次
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1、SiC 和 GaN 是第三代半导体材料,与第一 二代半导体材料相比,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等 性能优势,所以又叫宽禁带半导体材料,特别适用于 5G 射频器件和高电压功率 器件。
2、第三代的半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)方面,三安光电是国内为数不多能量产的企业之一,而碳化硅主要应用于新能源汽车、充电桩、光伏逆变器等电源市场。
3、SiC半导体是第三代半导体材料的代表之一,主要用于电力电子器件的制造。受新能源汽车、工业电源等应用的推动,全球电力电子碳化硅的市场规模不断增长,预计2027年将达到63亿美元,年复合增长率超过34%。
4、年第三代半导体整体市场规模有望超过900亿元。
碳化硅,是一种无机物,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
电力电子器件: 碳化硅被广泛用于制造高性能、高温、高功率的电力电子器件,如整流器、逆变器、MO***ETs、IGBTs等。由于碳化硅的高击穿电场强度和高热导率,它能够在高温和高电压环境下稳定工作,提高电子器件的效率和可靠性。
【用途】(1)作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。(2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料。碳化硅主要有四大应用领域,即: 功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。
碳化硅是一种非常硬的陶瓷材料,具有很高的耐磨性、耐腐蚀性和高温稳定性。它具有以下特点和用途:高硬度:碳化硅是一种非常硬的材料,硬度接近于钻石。因此,它可以用于制造切割工具、研磨头、砂纸和磨料等。
碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物,硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体,外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。
用途:在电气工业中,碳化硅可用做避雷器阀体、硅碳电热元件、远红外线发生器等。在航天工业中,用碳化硅制造的燃气滤片、燃烧室喷嘴已用于火箭技能中。低档次的碳化硅可用做炼钢脱氧剂及铸铁添加剂。
氧化镓(Ga2O3)是一种新型超宽禁带半导体材料,是第四代半导体材料之一。研究证明,以氧化镓材料所制作功率器件,相较于碳化硅和氮化镓所制成的产品,更加耐热且高效、成本更低、应用范围更广。
《科创板日报》(上海,研究员 何律衡)讯, 近期,以氮化镓、碳化硅为首的第三代半导体材料在A股市场引领了一波 科技 股回暖的热潮,引发市场对功率半导体的瞩目。
以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的的第三代半导体材料主要用于电力电子、微波射频和光电子器件的制造。
中国大陆是2019年各地区中唯一增长的半导体材料市场,销售规模位居第三。
韦尔股份(603501):上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售[_a***_],成立于2007年5月,总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区,在深圳、台湾、香港等地设立办事处。
1、碳化硅器件在高频、大功率、耐高温、抗辐射等方面具有巨大的应用潜力,它可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为下一代电力电子器件。
2、这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点,适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性,未来应用前景十分广阔。
3、光电子器件:碳化硅可以制造高功率、高效率的LED和激光二极管,以及高功率、高带宽的光通信器件,这些器件具有能量损失小、使用寿命长、光波长可调等优点。
4、VISAY,CREE,Infineon,ST,NXP的都有的。
5、新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V,能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算,这样可以将能效提高多达 5% 。
电力电子器件: 碳化硅被广泛用于制造高性能、高温、高功率的电力电子器件,如整流器、逆变器、MO***ETs、IGBTs等。由于碳化硅的高击穿电场强度和高热导率,它能够在高温和高电压环境下稳定工作,提高电子器件的效率和可靠性。
可用作炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂;可用作制造四氯化硅的原料;是硅树脂工业的主要原料。
功能材料:由于碳化硅具有良好的电、热、光、机械性能,可以应用于制造传感器、光电器件、结构件、磨料等领域。
磨料磨具,主要用于制作砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏。
碳化硅的用途:碳化硅主要有四大应用领域,即:功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。 作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。 作为冶金脱氧剂和耐高温材料。
用于军用防弹装甲的碳化硅。碳化硅用于制造防弹装甲。这种化合物使其适用于这种目的的特性是它的硬度。子弹和其他有害物体将不得不与碳化硅形成的硬陶瓷块抗衡。***无法穿透陶瓷块。用于半导体的碳化硅。
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