xfythy 发布于2024-03-06 19:25:05 碳化硅管 12 次
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1、化学成分一样,都是碳元素与硅元素一比一的物质的量组成,化学式都是SiC,无压烧结碳化硅是碳化硅的一种类型。之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。
2、化学式为SiC。无色晶体,外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。硬度挨近金刚石,热安稳性好,对氢氟酸水溶液和浓硫酸安稳,对浓氢氟酸与硝酸的混合酸或磷酸则不安稳。
3、无压烧结碳化硅SSiC和热压烧结SiC 无压烧结SiC它是***用超细SiC微粉(粒度约在0.1~0.2微米)加适当的添加剂、粘结剂压制成型,然后再2000~2200摄氏度的温度下烧结而成的。适合用于数量少、规格品种多的机械密封环。
4、合成碳化硅(Synthetic Moissanite)又名合成莫桑石、合成碳硅石(化学成分SiC),色散0.104比钻石(0.044)大,折射率65-69(钻石42),具有与钻石相同的金刚光泽,“火彩”更强,比以往任何仿制品更接近钻石。
粒度分布不均等。粒度分布不均匀,大颗粒物质会聚集在产品一侧,形成分层。在高温下材料热膨胀系数存在差异,密度和成分不均匀也可能导致烧结分层。烧结压力和温度不一致,也会导致碳化硅制品分层。
增加反应温度:在反应烧结碳化硅的过程中,增加反应温度可以促进SiC的生成,从而减少碳化石墨的生成。但是,过高的反应温度也会导致物料的烧结不良,影响制品的质量。
碳化硅陶瓷烧结密度低原因如下:碳化硅烧结助剂含量少。烧结温度低和烧结时间短。烧结碳化硅成分不均匀强度降低。
1、烧制过程不同。反应烧结是在较低的温度下,使游离硅渗透到碳化硅中。而无压烧结是在2100度下,自然收缩而成的碳化硅制品。烧结的产品技术参数不同。反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。
2、无压烧结:不同的产品选择的结合剂不同,在烧结过程中没有压力,包括气相压力。
3、化学成分一样,都是碳元素与硅元素一比一的物质的量组成,化学式都是SiC,无压烧结碳化硅是碳化硅的一种类型。之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。
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