碳化硅mos管kv高压_1200v碳化硅mosfet

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本文目录一览：

• 1、碳化硅革命与800V纯电的真伪“罗生门”
• 2、为什么要使用负压驱动碳化硅MOSFET
• 3、功率半导体器件有哪些分类?
• 4、光隔离探头和差分探头区别在哪?
• 5、碳化硅mos为什么标内阻
• 6、CREE科瑞的碳化硅MOS和二极管怎么样?有用过的吗?

碳化硅革命与800V纯电的真伪“罗生门”

同时也明白了800V高压平台与碳化硅的关系即：800V架构通过搭载碳化硅功率元件，可以让电机实现更强的动力输出，同时保持更持久的大功率输出。

首先，800V系统的成本较高，需要更高的技术水平和更贵的材料。例如，800V高压系统需要使用碳化硅或氮化镓等高性能的半导体材料，以提高耐高压和抗热的能力。这些材料的价格远高于传统的硅材料，因此会增加800V系统的制造成本。

不同车型的扩展平台需求；此外，结合优化的SiC Mo***et（碳化硅场效应管）技术，包括800V直流升压器功能，利用电机绕组可实现即便在400V直流充电桩上给800V电动汽车补能时，依然可以带来超快速充电体验。

“大家到时候可以看到我们推出的800V高压平台电动车，因为4C还有一定的选择性，大概可以做到跟增程相同的价格，这可能跟大家想象的不一样，因为今天大家都认为800V碳化硅会带来一个更贵的价格，其实不是，它可以节省非常多的成本。

作为SEPA0扶摇技术架构下的首款战略产品，小鹏G6是目前行业唯一量产、且兼具XNGP全场景智能***驾驶、800V Sic碳化硅高压平台、前后一体式铝压铸和CIB电池车身一体化技术的智能纯电SUV。

小鹏G6***用国内首个量产的全域800V高压SiC碳化硅平台并标配3C电芯，带来高达755km的续航表现，最快可以实现充电10min，续航增加300km的高效补能。

为什么要使用负压驱动碳化硅MO***ET

MO***ET的栅极存在结电容，负压有利于更快的为结电容存储的电荷Qg，提供释放回路，从而加快开关速度。但是过快的开关速度会影响EMI。

IGBT还牵涉到驱动电路的问题，为了提高关闭的可靠性和速度，一般会加入负压驱动。

更小的散热需求：由于较低的损耗，这些半导体产生较少的热量，因此可以使用更小的散热器。虽然 SiC 和 MO***ET 半导体在高压充电系统中非常有用，但选择使用哪种半导体也取决于成本、设计需求和性能目标。

“碳化硅MO***ET控制模块”据了解，汉EV搭载最大转速超过15，000 rpm的驱动电机总成，其电机控制器首次***用自主研发的碳化硅MO***ET控制模块。

由于MO***ET通常工作在几十kHz的开关状态，其充放电电流由栅源极电容和驱动电压决定，若驱动电阻选的很大，使得电路损耗过大，不利于驱动电路的安全运行，因此要综合考虑电阻、电容的取值。

**化学稳定性：** 碳化硅在高温、极端环境下的化学稳定性较高，这使得它适用于一些极端工况下的应用，如航空航天领域、汽车电子等。

功率半导体器件有哪些分类?

金属氧化物半导体场效应管（MO***ET）：特点：有非常高的输入阻抗和较快的开关速率。它们是现代电源电子中最常用的功率半导体器件之一，广泛应用在开关电源、逆变器等电路中。

功率半导体器件可分为功率半导体分立器件（Power Discrete，包括功率模块）和功率半导体集成电路（Power IC）两大类。因此，功率半导体分立器件实际上是功率半导体器件的一个子类。

- 双极型晶体管（BJT）：常用于放大和开关应用。- 场效应晶体管（FET）：包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MO***ET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT），用于功率放大和开关应用。

单极型器件是指内部只有主要载流子参与导电过程的半导体器件。常见产品有Power Mo***et（场效应晶体管）、SIT（静电感应晶体管）。前者为电压控制器件，具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽等优点。

光隔离探头和差分探头区别在哪?

氮化镓相比碳化硅具有更短的开关时间，对测试探头的共模抑制能力要求更高，这正是光隔离探头的专长。

所以很多情况下，对电路的波形测试，差分探头差分信号探测，更保险，更准确。理解不了的话，可以登录宇捷弘业平台，留言咨询，有专业技术人员为您详细解

差分探头 差分探头测量的是差分信号。差分信号是互相参考，而不是参考接地的信号。差分探头可测量浮置器件的信号，实质上它是两个对称的电压探头组成，分别对地段有良好绝缘和较高阻抗。

差分探头可以当普通探头用，但是普通探头不能当差分探头用。

衰减最高频率才见过500MHz）；二，有源电压探头，有放大器，1：1不衰减见过40GHz；三，有源差分隔离探头，把示波器与被测对象隔离开，安全性高；四，电流探头，目前大都是有源的，用来测试电流波形。

但是，可切换1×/10×探头在本质上是一个产品中的两个不同探头，不仅其衰减系数不同，而且其带宽、上升时间和阻抗（R和C）特点也不同。因此，这些探头不能与示波器的输入完全匹配，不能提供标准10×探头实现的最优性能。

碳化硅mos为什么标内阻

1、内阻除了可以指输入阻抗，也可能指输出阻抗，确切意义要看具体场合，所以内阻和输入阻抗的定义不完全是一回事。在 你举出的那句话——比如MOS管就是这样，内阻小，输入阻抗高——里，“内阻”就是指输出阻抗。

2、mos管内阻大小由器件的电流、沟道长度和沟道宽度控制。

3、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

4、电流和电压需求，内阻。电流和电压需求：根据点焊机的功率要求，确定所需的电流和电压，mos管的最大承载电流和电压是其最重要的参数之一。

5、负载过重或有短路。散热不好热击穿。电压不稳定造成。内阻为零的电源是理想电压源，理想电流源的内阻为无穷大。理想电压源不允许短路，因为内阻为零，输出电压恒定，如果短路电流会无穷大，功率无穷大。

CREE科瑞的碳化硅MOS和二极管怎么样?有用过的吗?

同样都是大牌子MOS管，萨科微更有价格优势；核心技术研发实力都都差不多，萨科微市场竞争力强。

碳化硅二极管导通与关断状态的转换速度非常快，而且没有普通双极二极管技术开关时的反向恢复电流。在消除反向恢复电流效应后，碳化硅二极管的能耗降低70%，能够在宽温度范围内保持高能效，并提高设计人员优化系统工作频率的灵活性。

TOKMAS（托克马斯）品牌碳化硅二极管品质对标CREE，性价比高，常备大量库存，规格型号齐全。

光电子器件： 碳化硅在光电子器件领域也有应用，如激光二极管、光伏电池和光探测器。碳化硅可以在高温环境下工作，因此适用于高温应用，如激光雷达和高温光伏系统。

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