碳化硅二级管电路_碳化硅二极管发什么光

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本文目录一览：

• 1、碳化硅二极管需要加rc吸收电路吗为什么
• 2、第三代半导体材料碳化硅发展历程及制备技术
• 3、碳化硅二极管的优势有哪些?
• 4、二极管工作原理

碳化硅二极管需要加rc吸收电路吗为什么

1、需要。为了保护整流二极管并减少开关瞬间的电压尖峰和噪声，可以使用阻容吸收电路。阻容吸收电路由一个电阻和一个电容组成，连接在二极管的两端。

2、boost可以在sw加rc吸收对肖特基二极管，由于反向恢复时间很短，反向恢复电流很小，所以没有必要加RC吸收电路；但如果用的是普通的超快二极管，则需要加RC吸收电路，如反激变压器的输出二极管。

3、为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

第三代半导体材料碳化硅发展历程及制备技术

1、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）——并称为第三代半导体材料的双雄。图2第三代半导体的材料特性相对于Si，SiC的优点很多：有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高1倍的饱和漂移速度。

2、在材料方面，除了硅基，第三代宽禁带半导体是这几年的热门技术，我国除了在硅基方面进行追赶外，在第三代半导体方面也做了很多投入，有了不少的创新研究。

3、以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AIN）为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。

4、我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看，它们的生产制备到底还面临哪些问题。 从碳化硅来看，还需要“降低衬底生长缺陷，以及提高工艺效率” 。

5、第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）为代表，我国从1995年开始涉足第三代半导体材料的研究。

碳化硅二极管的优势有哪些?

碳化硅器件在高频、大功率、耐高温、抗辐射等方面具有巨大的应用潜力，它可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为下一代电力电子器件。

这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性，未来应用前景十分广阔。

光电子器件：碳化硅可以制造高功率、高效率的LED和激光二极管，以及高功率、高带宽的光通信器件，这些器件具有能量损失小、使用寿命长、光波长可调等优点。

VISAY，CREE，Infineon，ST，NXP的都有的。

新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达 5% 。

二极管工作原理

二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p/n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。电平衡状态当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

二极管两端只有加上反向电压，才能呈现截止状态，同理，二极管两端只有加上正向电压，才能呈现导通状态，从而流过正向电流。单向开关二极管与真实的开关还是有区别的，至多它只能相当于一个单向的开关。

因此，二极管的工作原理是，当它被正向偏压时，可以控制电流的流动，而当它被反向偏压时，不允许电流流动。

二极管是最常用的电子元件之一，它最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的。

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