碳化硅mos管并联使用_碳化硅mosfet控制模块

今天给各位分享碳化硅mos管并联使用的知识，其中也会对碳化硅mo***et控制模块进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！

本文目录一览：

• 1、多个mos管并联使用极间电容有啥影响
• 2、2个mos管并联后电流增加多少倍
• 3、双mos管连接问题。图中管子应该怎样连接,做功率放大用。
• 4、mos管并联内阻需要配对吗

多个mos管并联使用极间电容有啥影响

1、这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。

2、理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。

3、开关管漏极和源极的电容作用一是降低MOS管导通瞬间可能产生的浪涌电流，二是抑制MOS管栅极回路可能感应到的空间电磁干扰使MOS管误导通。

4、如果是并接在数字或 PWM信号 输入输出接口 的话，会使数据波形奇变，使信号难读取。如果是传感器信号的话，会影响响应时间；如果是其它的直流电，只要电容耐压够，极性对，一般没啥影响。

5、内部参数对并联均流的影响 影响功率MO***ET并联均流的内部参数主要有阈值电压VTH、导通电阻RDS（on）、极间电容、跨导gm等。内部参数差异会引起动态和静态不均流。

6、只需改进一下，在MOS管的漏极和电容器正极之间串联一个几欧姆的电阻再与电容并联即可，这时，MOS起开关作用，放电时间几乎不受影响，这样对MOS管的要求就降低了，一般的MOS管都可以胜任，包括贴片封装、TO220封装都可以。

2个mos管并联后电流增加多少倍

锂电池保护板电流是由保护IC检测电压和MOS管内阻决定的，如果保护IC无法更改，可以改MOS管，比如DW01与8205MOS，用一颗MOS管是2~5A，用两颗MOS管并联电流就会增加一倍。现在的大容量移动电源有的用3~4颗MOS管并联。

理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。

并联运用可以增大通过的电流，但是不能增加耐压，电流大了功率也能相应增大。

如每个输出允许电流0.5A，***设两个并联后的总电流是0.8A，可能会一个0. 45A，一个0.35A，工作一段时间后，二者差异更大，可能会一个0. 5A，一个0.3A，然后电流大的烧坏。

双mos管连接问题。图中管子应该怎样连接,做功率放大用。

本电路***用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别***用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极（G）接控制信号，源极（S）接负载电源负极（模拟地），漏极（D）接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

两个管子分别导通半个周期，最后在两个晶体管的连接处（一般是发射极或者源级）合成一个完整的周期信号。推挽电路可以做到很大的功率，效率高，失真小，整体性能比较均衡，是功率放大电路中经常使用的电路样式。

小方块应该是打的过孔吧，比如说金属1连到栅的（M1-Gate）的孔，这样方便后面的连线。源和漏不能从管子的栅上面过，只能先接出来，再用一根长线连在一起，一般用M1，用M2的话又要打孔了，就会出现你说的小方块。

或电源）、衬底→高电平（或电源）。MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。将这个压降引出就是输出电压。这个输出电压比输入信号电压扩大了许多倍。也就是说输入电压得到放大了。

mos管并联内阻需要配对吗

1、场效应管多管并联要配对吗。严格来说应该进行配对的。每个管子的导通电阻，栅压等各项参数均有差异，配对可使每个管子负荷均匀分配防止损坏。但在电路不严格要求下紧需用的时候也可不配对使用。

2、真的需要配对；尤其是功率管，并联应用或推挽（尤其栅极是固定偏压的推挽）的话不配对会造成失真加大，输出功率变小，管子容易损坏。前级的小功率管参数离散性不大，要求低时可不配对。

3、合并式胆机前级电子管需配对。真的需要配对，尤其是功率管，并联应用或推挽，尤其栅极是固定偏压的推挽的话不配对会造成失真加大，输出功率变小，管子容易损坏。当新旧管搭配时才需要测一极发射能力。

4、较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。

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