碳化硅陶瓷致密烧结技术_碳化硅陶瓷工艺

本篇文章给大家谈谈碳化硅陶瓷致密烧结技术，以及碳化硅陶瓷工艺对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、碳化硅反应烧结检验方法
• 2、怎么制作碳化硅陶瓷?碳化硅陶瓷有啥优点?
• 3、碳化硅陶瓷生产工艺碳化硅陶瓷的性能特点
• 4、无压烧结碳化硅会不会氧化成二氧化硅
• 5、纳米碳化硅烧结出来怎么不致密

碳化硅反应烧结检验方法

1、碳化硅反应烧结检验方法如下：无压烧结：无压烧结被认为是SiC烧结有前途的烧结方法，根据烧结机理的不同，无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。

2、热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的材料，其高温强度可一直维持到1600℃，是陶瓷材料中高温强度最好的材料。

3、检测办法：硅的含量需要原子吸收检测（检测效率高，数值较精确）。碳化硅粒径需要电阻法颗粒分析仪（效率高）。碳化硅粒型检测需要瑞思RA200颗粒分析仪.（可以分析颗粒形状系数 圆度 较准确）。

怎么制作碳化硅陶瓷?碳化硅陶瓷有啥优点?

陶瓷产品比较的易碎，所以我们选择更精进的工艺来改善这个缺点。研究表明：单独使用B和C作添加剂，无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时，才能实现SiC陶瓷的高密度化。

无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。

内壁光滑，不会阻塞粉末。碳化硅陶瓷在高温下烧结，结构致密，并且在研磨和去毛刺之后表面光滑。陶瓷复合弯头的内壁光滑且光滑，不会阻塞粉末。低电阻耐磨陶瓷管的表面光滑。

碳化硅陶瓷生产工艺碳化硅陶瓷的性能特点

我们的优点体现在极限转速更高也不会特别的费力：陶瓷比钢轻，适合大型的产品运用。会减少运转离心力，从而在相同精度下提高极限转速。

碳化硅陶瓷特点耐磨性能优异，连续使用10年以上时间根据研究，SiC陶瓷的耐磨性相当于锰钢的266倍和高铬铸铁的175倍，并且耐磨性极好。

碳化硅（SiC）陶瓷，具有抗氧化性强，耐磨性能好，硬度高，热稳定性好，高温强度大，热膨胀系数小，热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。

碳化硅陶瓷产品具有以下优点：耐化学腐蚀；耐高温，正常使用在1800℃；耐骤冷骤热，不易炸裂；可重复使用；结构性能稳定；超高温稳定性；热传导性高。

一般最高使用温度不超过1200摄氏度，这类陶瓷产量大，种类多，广泛用于电气、化工等行业。碳化硅陶瓷用碳化硅粉，用粉末冶金法经反应烧结或热压烧结工艺制成。碳化硅陶瓷最大特点高温强度大、热稳定性好、耐磨抗蠕变性好。

无压烧结碳化硅会不会氧化成二氧化硅

1、酚醛树脂作为碳源，在烧结过程中，使碳化硅表面的二氧化硅形成碳化硅，从而增加碳化硅的表面能，促进烧结，烧结过后产品内部没有残留的硅，提高产品的耐腐蚀性。

2、在空气中加热时易发生氧化，但氧化时表面形成的SiO2会抑制氧的进一步扩散，故氧化速率并不高。在电性能方面，SiC具有半导体性，少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外，SiC还有优良的导热性。SiC具有α和β两种晶型。

3、从组成上看，碳化硅应该容易被氧化成二氧化硅和碳的氧化物。但是实验证明，这个反应不易发生。首先碳化硅很稳定，加热后，可能会发生轻微的氧化，生成的玻璃状物质保护内层 结论：一般情况下，碳化硅的氧化程度很小。

4、无压烧结碳化硅SSiC和热压烧结SiC 无压烧结SiC它是***用超细SiC微粉（粒度约在0.1～0.2微米）加适当的添加剂、粘结剂压制成型，然后再2000～2200摄氏度的温度下烧结而成的。适合用于数量少、规格品种多的机械密封环。

5、SiC与水蒸气在1300－1400℃作用，但要到1775－1800℃才强烈的作用：SiC+2H2O→SiO2+CH4 SiC在氧中，在1000℃以下不被氧化，在1350℃时显著地氧化。在1350－1500℃之间形成SiO2，而SiO2在1700℃左右熔化。

6、碳化硅和氧气：碳化硅在高温下会与氧气发生反应，形成二氧化硅（SiO2）。这个反应类似于燃烧，但需要高温，通常在1000摄氏度以上才会明显发生。这是碳化硅陶瓷在高温环境中稳定的原因之一。

纳米碳化硅烧结出来怎么不致密

碳化硅陶瓷烧结密度低原因如下：碳化硅烧结助剂含量少。烧结温度低和烧结时间短。烧结碳化硅成分不均匀强度降低。

烧结致密度不足：无压烧结碳化硅的致密度对其力学性能和化学稳定性具有重要影响，烧结过程中温度、时间、压力等参数不当，会导致致密度不足。

粒度分布不均等。粒度分布不均匀，大颗粒物质会聚集在产品一侧，形成分层。在高温下材料热膨胀系数存在差异，密度和成分不均匀也可能导致烧结分层。烧结压力和温度不一致，也会导致碳化硅制品分层。

热压烧结：Nadeau指出，不添加任何烧结助剂，纯SiC只有在极高的温度下才能烧结致密，于是不少人对SiC实行热压烧结工艺。

碳化硅原始粉料的粒度，无论在固态或者液态的烧结中，细颗粒由于增加了烧结的推动力，缩短了原子扩散的距离和提高颗粒在液相中的溶解度而导致碳化硅烧结而不硅化过程的加速。

干燥过快会导致微裂纹，润湿非常细小，但是在脱蜡后裂纹会扩展。制壳温度湿度控制不均匀。产品结构设计的原因，根据产品的设计要想办法在制壳是规避或者调整，比如深孔等。

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